УДК 633.111:631.523.4:631.52/.524

ТЕТРАПЛОИДНЫЙ УРОВЕНЬ ПРОЯВЛЕНИЯ СЛОЖНЫХ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ПРИЗНАКОВ У НЕКОТОРЫХ ГЕКСАПЛОИДНЫХ ВИДОВ ПШЕНИЦЫ

Б.В. РОМАНОВ

У мягкой, спельтоидной, компактоидной и сферококкоидной пшеницы изучали проявление сложных количественных признаков на основе феномогеномного подхода, когда по аналогии ген—фен рассматриваются взаимоотношения геном—феном. Показано, что при одинаковом составе геномов (ААBBDD) у Triricumaestivum L., T. spelta L., T. compactum Host. и T. sphaerococcum Perсiv. у трех последних видов количественные признаки проявляются на тетраплоидном двухфеномном уровне (диплоидный геном—феном). Это предлагается отражать в геномных формулах и учитывать в селекционной и производственной практике.

Ключевые слова: Triricumaestivum L., T. spelta L., T. compactum Host. и T. sphaerococcum Perсiv., гексаплоидные виды пшеницы, геном, проявление сложных количественных признаков.

 

Полный текст

 

ABOUT TETRAPLOID LEVEL OF CONTROL OF COMPLEX QUANTITATIVE DETERMINANTS IN HEXAPLOID WHEAT CULTIVARS

B.V. Romanov

In soft species of Triticum spelta L., T. compactum Host. and T. sphaerococcum Persiv. the author studied manifestation of complex quantitative determinants on basis of phenome—genome approach, when the genome-phenome interrelation are considered similarly to gene— phene. It was shown, that at identical genome composition (AABBDD) in T. aestivum L., T.spelta L., T. compactum Host. and T. sphaerococcum Persiv. , in three last-named cultivars the quantitative determinants are controlled on tetraploid twophenome level (diploid genome—phenome), that the author suggests to reflect in genomic formulae and take into account in selection and practical work.

Keywords: Triricum aestivum L., T. spelta L., T. compactum Host., T. sphaerococcum Perсiv., hexaploid wheat, genome, quantitative traits expression.

ФГОУ ВПО Донской государственный
аграрный университет,

346493 Ростовская обл., Октябрьский (с) р-н,  пос. Персиановский,
е-mail: triticumRBW@mail.ru

Поступила в редакцию
15 апреля 2008 года

 

Оформление электронного оттиска

назад в начало